Что такое флеш память. Pci flash память что это – емкость флеш памяти. Существующие типы флеш-памяти

Флеш память Сюда перенаправляется запрос Флэш-карты . На тему «Флэш-карты» .

Характеристики

Скорость некоторых устройств с флеш-памятью может доходить до 100 Мб/с . В основном флеш-карты имеют большой разброс скоростей и обычно маркируются в скоростях стандартного CD-привода (150 КБ/с). Так указанная скорость в 100x означает 100 × 150 КБ/с = 15 000 КБ/с= 14.65 МБ/с.

В основном объём чипа флеш-памяти измеряется от килобайт до нескольких гигабайт .

Для увеличения объёма в устройствах часто применяется массив из нескольких чипов. К 2007 году USB устройства и карты памяти имели объём от 512 МБ до 64 ГБ . Самый большой объём USB устройств составлял 4 ТБ .

Файловые системы

Основное слабое место флеш-памяти - количество циклов перезаписи. Ситуация ухудшается также в связи с тем, что ОС часто записывает данные в одно и то же место. Например, часто обновляется таблица файловой системы, так что первые сектора памяти израсходуют свой запас значительно раньше. Распределение нагрузки позволяет существенно продлить срок работы памяти.

Для решения этой проблемы были созданы специальные файловые системы: JFFS2 и YAFFS для GNU/Linux и Microsoft Windows.

SecureDigital и FAT.

Применение

Флеш-память наиболее известна применением в USB флеш-носителях (англ. USB flash drive ). В основном применяется NAND тип памяти, которая подключается через USB по интерфейсу USB mass storage device (USB MSC). Данный интерфейс поддерживается всеми ОС современных версий.

Благодаря большой скорости, объёму и компактным размерам USB флеш-носители полностью вытеснили с рынка дискеты. Например, компания 2003 года перестала выпускать компьютеры с дисководом гибких дисков .

В данный момент выпускается широкий ассортимент USB флеш-носителей, разных форм и цветов. На рынке присутствуют флешки с автоматическим шифрованием записываемых на них данных. Японская компания Solid Alliance даже выпускает флешки в виде еды .

Есть специальные дистрибутивы GNU/Linux и версии программ , которые могут работать прямо с USB носителей, например, чтобы пользоваться своими приложениями в интернет-кафе .

Технология Windows Vista способна использовать USB-флеш носитель или специальную флеш-память, встроенную в компьютер, для увеличения быстродействия . На флеш-памяти также основываются карты памяти, такие как SecureDigital (SD) и Memory Stick , которые активно применяются в портативной технике (фотоаппараты, мобильные телефоны). Вкупе с USB носителями флеш-память занимает большую часть рынка переносных носителей данных.

NOR тип памяти чаще применяется в BIOS и ROM-памяти устройств, таких как DSL модемы, маршрутизаторы и т. д. Флеш-память позволяет легко обновлять прошивку устройств, при этом скорость записи и объём для таких устройств не так важны.

Сейчас активно рассматривается возможность замены жёстких дисков на флеш‑память. В результате увеличится скорость включения компьютера, а отсутствие движущихся деталей увеличит срок службы. Например, в XO-1 , «ноутбуке за 100 $», который активно разрабатывается для стран третьего мира, вместо жёсткого диска будет использоваться флеш-память объёмом 1 ГБ . Распространение ограничивает высокая цена за ГБ и меньший срок годности, чем у жёстких дисков из-за ограниченного количества циклов записи.

Типы карт памяти

Существуют несколько типов карт памяти, используемых в портативных устройствах:

MMC (MultiMedia Card) : карточка в формате MMC имеет небольшой размер - 24×32×1,4 мм. Разработана совместно компаниями SanDisk и Siemens. MMC содержит контроллер памяти и обладает высокой совместимостью с устройствами самого различного типа. В большинстве случаев карты MMC поддерживаются устройствами со слотом SD.

SD Card (Secure Digital Card) : поддерживается фирмами Panasonic и : Старые карты SD так называемые Trans-Flash и новые SDHC (High Capacity) и устройства их чтения различаются ограничением на максимальную ёмкость носителя, 2 ГБ для Trans-Flash и 32 ГБ для High Capacity (Высокой Ёмкости). Устройства чтения SDHC обратно совместимы с SDTF, то есть SDTF карта будет без проблем прочитана в устройстве чтения SDHC, но в устройстве SDTF увидится только 2 ГБ от ёмкости SDHC большей ёмкости, либо не будет читаться вовсе. Предполагается, что формат TransFlash будет полностью вытеснен форматом SDHC. Оба суб-формата могут быть представлены в любом из трёх форматов физ. размеров (Стандартный, mini и micro). miniSD (Mini Secure Digital Card) : От стандартных карт Secure Digital отличаются меньшими размерами 21,5×20×1,4 мм. Для обеспечения работы карты в устройствах, оснащённых обычным SD-слотом, используется адаптер. microSD (Micro Secure Digital Card) : являются на настоящий момент (2008) самыми компактными съёмными устройствами флеш-памяти (11×15×1 мм). Используются, в первую очередь, в мобильных телефонах, коммуникаторах, и т. п., так как, благодаря своей компактности, позволяют существенно расширить память устройства, не увеличивая при этом его размеры. Переключатель защиты от записи вынесен на адаптер microSD-SD.

В этой статье мы с Вами поговорим о том, что положено в основу создания и по какому принципу работает устройство флэш-памяти (не путайте с USB флэш-накопителями и картами памяти). Кроме этого, вы узнаете о ее преимуществах и недостатках перед другими типами ПЗУ (постоянно запоминающими устройствами) и познакомитесь с ассортиментом самых распространенных накопителей, которые содержат в себе флэш-память.

Основное достоинство этого устройства в том, что оно энергонезависимое и ему не нужно электричество для хранения данных. Всю хранящуюся информацию во флэш-памяти можно считать бесконечное количество раз, а вот количество полных циклов записи к сожалению ограничено.

Флэш-память (flash memory) — относится к полупроводникам электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Благодаря техническим решениям, не высокой стоимости, большому объему, низкому энергопотреблению, высокой скорости работы, компактности и механической прочности, флэш-память встраивают в цифровые портативные устройства и носители информации.

У флэш-памяти перед другими накопителями (жесткие диски и оптические накопители) типа ПЗУ есть как свои преимущества, так и свои недостатки, с которыми вы можете познакомиться из таблицы расположенной ниже.

Сегодня никто не сомневается в том, что флэш-память будет продолжать укреплять свои позиции в информационных технологиях, особенно в линейке мобильных устройств (КПК, планшеты, смартфоны, плееры). На основе флэш-памяти работают самые востребованные и популярные и сменные карты памяти для электронных устройств (SD, MMC, miniSD…).

Карты памяти, как и USB накопители не стоят в стороне, а привлекают внимание потенциальных покупателей своим многообразием. От такого изобилия запоминающих устройств выигрывает только производитель, а потребитель испытывает ряд неудобств. Ведь всем нам знакомы такие ситуации, когда телефону нужна одна карта, КПК другая, фотоаппарату третья. Такой ассортимент накопителей на руку производителям, потому что они извлекают из широкой эксклюзивной продажи большую выгоду. Вот небольшой список распространенных накопителей с флэш-памятью:

• Compact Flash Type I (CF I)/Type II (CF II);
• Memory Styck (MS Pro, MS Duo);
• Secure Digital (SD);
• miniSD;
• xD-Picture Card (xD);
• MultiMedia Card (MMC).
• USB Flash Drive.

В одной из публикаций я писал о том , а о том как выбрать карту в формате SD (microSD, miniSD) .

Принцип работы флэш-памяти.

Элементарной ячейка хранения данных флэш-памяти представляет из себя транзистор с плавающим затвором. Особенность такого транзистора в том, что он умеет удерживать электроны (заряд). Вот на его основе и разработаны основные типы флэш-памяти NAND и NOR . Конкуренции между ними нет, потому что каждый из типов обладает своим преимуществом и недостатком. Кстати, на их основе строят гибридные версии такие как DiNOR и superAND .

Во флэш-памяти производители используют два типа ячеек памяти MLC и SLC.

• Флэш-память с MLC(Multi-level cell — многоуровневые ячейки памяти)ячейки более емкие и дешевые, но они с большим временем доступа и меньшим количеством циклов записи/стирания (около 10000).
• Флэш-память, которая содержит в себе SLC (Single-level cell — одноуровневые ячейки памяти) ячейки имеет максимальное количество циклов записи/стирания(100000) и обладают меньшим временем доступа.

Изменение заряда (запись/стирание) выполняется приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта тунеллирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путем пропускания тока через канал полевого транзистора.

Принцип работы флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области («карман») полупроводниковой структуры.

Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения. Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек.

Теперь рассмотрим более подробно ячейки памяти с одним и двумя транзисторами…

Ячейка памяти с одним транзистором.

Если на управляющий затвор подать положительное напряжения (инициализация ячейки памяти) то он будет находиться в открытом состоянии, что будет соответствовать логическому нулю.

А если на плавающий затвор поместить избыточный отрицательный заряд (электрон) и подать положительное напряжение на управляющий затвор ,то он компенсирует создаваемое управляющим затвором электрическое поле и не даст образовываться каналу проводимости, а значит транзистор будет находиться в закрытом состоянии.

Вот так, наличие или отсутствие заряда на плавающем затворе точно определяет состояние открыт или закрыт транзистор, когда подается одно и тоже положительное напряжения на управляющий затвор. Если мы будем рассматривать подачу напряжения на управляющий затвор, как инициализацию ячейки памяти, то по тому, какое напряжение между истоком и стоком можно судить о наличии или отсутствии заряда на плавающем затворе.

Таким образом получается своеобразная элементарная ячейка памяти, способная сохранять один информационный бит. Ко всему этому очень важно, чтобы заряд на плавающем затворе (если он там имеется) мог сохраняться там долго, как при инициализации ячейки памяти, так и при отсутствии напряжения на управляющем затворе. Только в этом случае ячейка памяти будет энергонезависимой.

Так каким же образом в случае необходимости на плавающий затвор помещать заряд (записывать содержимое ячейки памяти) и удалять его оттуда (стирать содержимое ячейки памяти) когда это необходимо.

Поместить заряд на плавающий затвор (процесс записи) можно методом инжекции горячих электронов (CHE-Channel Hot Electrons) или методом туннелирования Фаулера-Нордхейма.

Если используется метод инжекции горячих электронов, то на сток и управляющий затвор подается высокое напряжение, что придаст электронам в канале энергии, достаточной чтобы преодолеть потенциальный барьер, который создается тонким слоем диэлектрика, и направить (туннелировать) в область плавающего затвора (во время чтения на управляющий затвор подается меньшее напряжение и эффект туннелирования не происходит).

Чтобы удалить заряд с плавающего затвора (выполнить стирания ячейки памяти) на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение (около 9 В), а на область истока подается положительное напряжение. Это приводит к тому, что электроны туннелируют из области плавающего затвора в область истока. Таким образом происходит квантовое туннелирование Фаулера — Нордхейма (Fowler — Nordheim).

Наверно вы уже поняли, что транзистор с плавающим затвором это элементарная ячейка флэш-памяти. Но ячейки с одним транзистором имеют некоторые недостатки, основным из которых является плохая масштабируемость.

Так как при создании массива памяти, каждая ячейка памяти (то есть транзистор) подключается к двум перпендикулярным шинам. Управляющие затворы подключаются к шине, которую называют линией слов (Word Line), а стоки соединяют с шиной, ее называют битовой линией (Bit Line). В следствии чего в схеме находится высокое напряжение и при записи методом инжекции горячих электронов все линии — слов, битов и истоков нужно разместить на большом расстоянии друг от друга. Это даст нужный уровень изоляции, но отразится на ограничении объема флэш-памяти.

Еще одним недостатком такой ячейки памяти является присутствие эффекта избыточного удаления заряда с плавающего затвора, а он не может компенсироваться процессом записи. В следствии этого на плавающем затворе образуется положительный заряд, что делает неизменным состояние транзистора и он всегда остается открытым.

Ячейка памяти с двумя транзисторами.

Двухтранзисторная ячейка памяти, это модифицированная однотранзисторная ячейка, в которой находится обычный КМОП-транзистор и транзистор с плавающим затвором. В этой структуре обычный транзистор выполняет роль изолятора транзистора с плавающим затвором от битовой линии.

Имеет ли преимущества двухтранзисторная ячейка памяти? Да, ведь с ее помощью можно создавать более компактные и хорошо масштабируемые микросхемы памяти, потому что здесь транзистор с плавающим затвором изолируется от битовой линии. Ко всему прочему, в отличии от однотранзисторной ячейки памяти, где информация записывается методом инжекции горячих электронов, в двухтранзисторной ячейки памяти для записи и стирания информации используется метод квантового туннелирования Фаулера — Нордхейма. Такой подход дает возможность снизить напряжение, которое необходимо для операции записи. Забегая наперед скажу, что двухтранзисторные ячейки применяются в памяти со структурой NAND.

Устройство флэш-памяти с архитектурой NOR.

Тип этой памяти является источником и неким толчком в развитии всей EEPROM. Ее архитектура была разработана компанией Intel в далеком 1988 году. Как было написано ранее, чтобы получить доступ к содержимому ячейки памяти (инициализировать ячейку), нужно подать напряжение на управляющий затвор.

Поэтому разработчики компании все управляющие затворы подсоединили к линии управления, которая называется линией слов (Word Line). Анализ информации ячейки памяти выполняется по уровню сигнала на стоке транзистора. Поэтому разработчики все стоки транзисторов подсоединили к линии, которая называется линией битов (Bit Line).

Архитектура NOR получила название благодаря логической операции ИЛИ — НЕ (в переводе с английского NOR). Принцип логической операции NOR заключается в том, что она над несколькими операндами (данные, аргумент операции…) дает единичное значение, когда все операнды равны нулю, и нулевое значение во всех остальных операциях.

В нашем случае под операндами подразумевается значение ячеек памяти, а значит в данной архитектуре единичное значение на битовой линии будет наблюдается только в том случае, когда значение всех ячеек, которые подключены к битовой линии, будут равны нулю (все транзисторы закрыты).

В этой архитектуре хорошо организован произвольный доступ к памяти, но процесс записи и стирания данных выполняется относительно медленно. В процессе записи и стирания применяется метод инжекции горячих электронов. Ко всему прочему микросхема флеш-памяти с архитектурой NOR и размер ее ячейки получается большим, поэтому эта память плохо масштабируется.

Флеш-память с архитектурой NOR как правило используют в устройствах для хранения программного кода. Это могут быть телефоны, КПК, BIOS системных плат…

Устройство флэш-памяти с архитектурой NAND.

Данный тип памяти был разработан компанией Toshiba. Эти микросхемы благодаря своей архитектуре применяют в маленьких накопителях, которые получили имя NAND (логическая операция И-НЕ). При выполнении операция NAND дает значение нуль только, когда все операнды равны нулю, и единичное значение во всех других случаях.

Как было написано ранее, нулевое значение это открытое состояние транзистора. В следствии этого в архитектуре NAND подразумевается, что битовая линия имеет нулевое значение в том случае, когда все подключенные к ней транзисторы открыты, и значение один, когда хотя бы один из транзисторов закрыт. Такую архитектуру можно построить, если подсоединить транзисторы с битовой линией не по одному (так построено в архитектуре NOR) , а последовательными сериями (столбец из последовательно включенных ячеек).

Данная архитектура по сравнению с NOR хорошо масштабируется потому, что разрешает компактно разместить транзисторы на схеме. Кроме этого архитектура NAND производит запись путем туннелирования Фаулера — Нордхейма, а это разрешает реализовать быструю запись нежели в структуре NOR. Чтобы увеличить скорость чтения, в микросхемы NAND встраивают внутренний кэш.

Как и кластеры жесткого диска так и ячейки NAND группируются в небольшие блоки. По этой причине при последовательном чтении или записи преимущество в скорости будет у NAND. Но с другой стороны NAND сильно проигрывает в операции с произвольным доступом и не имеет возможности работать на прямую с байтами информации. В ситуации когда нужно изменить всего несколько бит, система вынуждена переписывать весь блок, а это если учитывать ограниченное число циклов записи, ведет к большому износу ячеек памяти.

В последнее время ходят слухи о том, что компания Unity Semiconductor разрабатывает флэш-память нового поколения, которая будет построена на технологии CMOx. Предполагается, что новая память придет на смену флеш-памяти типа NAND и преодолеет ее ограничения, которые в памяти NAND обусловлены архитектурой транзисторных структур. К преимуществам CMOx относят более высокую плотность и скорость записи, а также более привлекательную стоимость. В числе областей применения новой памяти значатся SSD и мобильные устройства. Ну, что же правда это или нет покажет время.

Чтобы более детально донести до Вас всю необходимую информацию я разместил видео ролик по теме.

P.S. Объяснить простым языком технический материал людям которые не представляют как построена архитектура компьютера… очень сложно, но я надеюсь у меня это получилось. Для полной и достоверной информации в этой статье я частично использовал учебную литературу. Надеюсь эта статья была для вас полезной и познавательной. Пока!

Для хранения электронной информации предназначены накопители данных. В зависимости от конструктивных особенностей они подразделяются на несколько видов, наиболее распространенными среди которых являются флеш-накопители. Они получили широкое распространение благодаря малым физическим габаритам и внушительному объему, позволяющему хранить большое количество файлов. Однако при покупке флешки каждый пользователь сталкивался с ситуацией, когда полезный объем накопителя не соответствовал заявленному производителем. Почему возникает такая ситуация?

Определение флеш-памяти

Флеш-память - это одна из разновидностей современных накопителей информации, в основе которой лежит технология электрического программирования, которая позволяет получить полностью законченное, с технологической точки зрения, решение для записи и хранения электронной информации.
Обычные пользователи применяют термин «флеш-память» для классификации большой категории устройств хранения информации, которые изготавливаются по этой технологии. Основными достоинствами этой категории накопителей данных являются:

— Маленькие габариты;
— Низкая стоимость;
— Отличная устойчивость к механическим повреждениям;
— Большой объем;
— Высокая скорость считывания данных;
— Маленькое потребление электроэнергии.

Благодаря всем вышеперечисленным преимуществам, этот тип памяти нашел широкое применение при производстве различных электронных гаджетов, а также внешних накопителях данных. Однако существуют и значительные недостатки, которыми обладает флеш-память. Основными среди них является недолговечность эксплуатации и повышенная чувствительность к электростатическим разрядам.

А что касается объема памяти, которой могут обладать современные флеш-накопители? Однозначного ответа на этот вопрос нет, поскольку всего несколько лет назад 128 гигабайт казались пределом, а уже в наши дни никого не удивляют флеш-накопители, способные вместить один терабайт информации. И это далеко не предел.

Немного истории

Первыми накопителями данных этой категории считаются жесткие диски, в которых процесс записи осуществлялся при помощи разрядов электричества, а стирание - ультрафиолетом. В качестве запоминающих элементов в таких носителях использовались светодиодные транзисторы с плавающим затвором. Информация этих постоянных запоминающих устройств представлялась в виде электрического разряда, который закреплялся на диэлектрике. Основной проблемой этих устройств являлась очень большая площадь разводки, которую удалось уменьшить только в 1984 году. Именно тогда и появились первые флеш-накопители современного образца.

Принцип работы

Запись и хранение информации в электронном виде на флеш-накопителях происходит посредством регистрации и изменения электрического заряда светодиодных транзисторов. Этот процесс базируется на принципе туннельного эффекта, который происходит между источником электроэнергии и подвижным затвором транзистора. Для повышения эффективности этого процесса используют ускорение электронов. Считывание записанной информации осуществляется при помощи полевых транзисторов. Для реализации работы с большим количеством ячеек информации в конструкции флеш-памяти реализованы специальные элементы. Небольшие физические размеры накопителей этого класса и большой объем памяти достигаются благодаря маленьким размерам всех электронных элементов, входящих в состав этих устройств.

NOR- и NAND-приборы

Эти элементы различаются в зависимости от метода, который заложен в основу реализации большого массива источников хранения электрических зарядов, а также технологией записи и считывания информации. Приборы категории NOR создаются на базе двухмерной полупроводниковой матрицы, в месте пересечения которых используется по одной ячейке. В процессе записи и считывания электронной информации один выход ячейки контактирует с транзистором, а второй - с затвором столбцов. Исток контактирует с подложкой, выступающей связующим звеном для всех элементов флеш-накопителя. Подобная конструкция позволяет подавать питание на один транзистор, в котором хранится необходимая часть информации.

В отличие от структуры NOR, приборы класса NAND работают по принципу трехмерного массива. Накопители с этими приборами создаются на том же типе матрицы с тем лишь исключением, что в месте пересечения транзисторов базируется не одна, а столбец последовательных ячеек. Таким образом, в одном пересечении может находиться большое количество затворных цепей, что позволяет существенно увеличить количество элементов, входящих в основу накопителей информации. Однако это приводит к существенному усложнению алгоритма доступа к электронным элементам, которые хранят электронный заряд, а также процессу записи и считывания информации. Тем не менее несмотря на более сложную конструкцию, флеш-накопители, разработанные на этих приборах, обладают существенно большим объемом.

SLC- и MLC-приборы

Некоторые устройства, которые используются при производстве флеш-накопителей данных, способны одновременно хранить несколько бит информации вместо одного. Это достигается благодаря увеличению количества зарядов, которые одновременно может хранить плавающий затвор транзисторов. Такие приборы получили название многобитовые или многоуровневые, а в технической документации они обозначаются как MLC. Стоит отметить, что несмотря на преимущества в работе, они обладают более низкой стоимостью, однако, есть и негативная сторона, например, меньший ресурс циклов перезаписи, что значительно снижает их срок службы.

Аудиопамять

По мере развития технологического прогресса и изобретения MLC-приборов, технические специалисты пришли к идее преобразования аналогового сигнала в электрический, с последующей его записью в ячейку флеш-памяти. Эта идея была реализована на практике, а наиболее ярким примером являются различные детские игрушки, способные воспроизводить звуки.

Технологические ограничения

В процессе эксплуатации флеш-памяти происходит регулярная запись и считывание информации. При этом затраты электроэнергии на оба этих процесса очень сильно отличаются. Для того чтобы записать электронные данные в ячейку необходимо больше электричества нежели, для их считывания.

Ресурс записи и хранения информации

В процессе помещения электрического заряда в ячейку транзистора происходят необратимые изменения структуры этих элементов. В свою очередь, каждый транзистор обладает ограниченным количеством циклов записи. Максимальное количество циклов зависит от используемых технологий при производстве, а также от используемых деталей. Это объясняется тем, что невозможно контролировать электрический заряд, помещенный в плавающий затвор, поэтому по мере эксплуатации накопителя происходит нарушение структуры транзистора и потеря электрического заряда.

Эта же тенденция наблюдается и в максимальном времени, на протяжении которого может храниться заряд. В среднем, электронная информация может храниться на флеш-накопителях от 10 до 20 лет, однако, эти сроки могут отличаться в зависимости от используемых при производстве технологий и элементов.

В обиходе пользователей появилось новое слово - «флешка». Большинству людей точно известно, что данное устройство используется в цифровых фотоаппаратах, а также предназначено для переноса видеофильмов и музыки. А ведь это не полный перечень функций, которые выполняет флешка. Данное устройство является незаменимым в работе любого владельца не только компьютера, а и всевозможной электроники 21-го века. Темой данной статьи является флеш-память, её характеристики, виды, цены.

Окунувшись в историю

Переписыванием истории занимаются все гиганты ИТ-индустрии, устанавливая свое авторство над разными изобретениями. Так поступила и знаменитая американская компания Intel, которая присвоила себе изобретение флеш-памяти. Однако технология и производство первого в мире устройства принадлежат японскому гиганту Toshiba, который в далеком 1984 году представил миру свое открытие. Название «флеш-память» устройству дали тоже японцы, и не случайно. Процесс стирания информации на флеш-памяти отдаленно напоминает фотовспышку.

Не прошло и нескольких лет с момента изобретения, а мировые гиганты ИТ-индустрии быстро нашли применение новому изобретению, поставив производство на конвейер.

Не вся память относится к «флеш»

Неглубоко погружаясь в мир физики, можно узнать, что память бывает нескольких видов.

1. Оперативная память, которая работает по принципу «электрической емкости». Миллионы конденсаторов, удерживая заряд в оперативной памяти, являются хранителями информации. При отключении подачи электричества на устройство конденсаторы разряжаются, теряя информацию безвозвратно.
2. Постоянная память. Информация на носителе сохраняется путем физического или химического воздействия. Примером служит оптический DVD-диск, информация на который записывается путем прожигания лазером микроскопических дырочек на поверхности пластика.
3. Условно-постоянная энергонезависимая память. Сюда относятся флеш-память, магнитные жесткие диски, дискеты, видеопленка и прочие носители, которые умеют удерживать магнитный или электрический заряд при отсутствии постоянного источника электроэнергии.

Применение флеш-памяти

Для технологий 20-го века изобретению вполне хватало устройств, таких как карта памяти и USB-флеш-накопители. Но в 21-м веке произошел бум на носители информации с технологией флеш. В первую очередь флеш-памятью обзавелись все мобильные телефоны, планшеты, мультимедиа-проигрыватели и цифровые устройства. Позже ни одна интерактивная игрушка для детей не могла существовать без флеш-памяти. Технологии на этом не остановились. Ежедневно появляются все новые устройства, снабженные таким замечательным видом памяти. Взять хотя бы фонарик для полицейского. Благодаря наличию в нем флеш-памяти правозащитник может выбирать требуемую ему фокусировку и яркость луча из сохраненных настроек.

Как много производителей устройств

На рынке можно увидеть, что нужная флеш-память представлена сразу несколькими производителями. Имея практически одинаковые характеристики, накопители значительно отличаются в цене. Неужели самая дорогая покупка окажется самой лучшей? Не всегда! Часто покупателю приходится переплачивать за бренд, сервис и гарантию.

В мире существует всего несколько заводов, которые производят модули флеш-памяти. Эти модули раскупаются гигантами ИТ-индустрии, которые создают красивый корпус и продают накопитель уже от своего имени. Единственное различие - скорость работы устройств, зависящая от способностей флеш-памяти. Будет память быстрой или нет, решают на заводе-изготовителе.

О ценах на устройства флеш

Любому, кто самостоятельно решил приобрести флеш-память, цены на рынке могут показаться странными. Одинаковые по объему накопители от двух малознакомых брендов имеют большой разбег в стоимости. В чем же дело? Существует набор требований к флеш-картам, благодаря которому производитель обязан определить класс устройства и произвести маркировку на корпусе товара. Часто в магазине можно встретить устройства, на которых нет маркировки, присутствует лишь логотип компании-производителя. Цены на такие карты памяти очень низкие, а продавец заявляет о высоких показателях в работе устройства. Отзывы специалистов на страницах уважаемых компьютерных изданий рекомендуют воздержаться от покупки немаркированных устройств, так как они являются подделкой или ввезены в страну нелегально.

Что нужно знать о маркировках флеш-накопителей

Раз речь зашла о маркировке накопителей, при покупке необходимо обращать внимание на цифры и надписи, указанные на корпусе флеш-устройств.

1. Обязательно должно присутствовать название компании-производителя или её логотип.
2. На носителе должен быть написан объем флеш-памяти.
3. На корпусе должен быть указан класс флеш-устройства. Часто производители модулей USB класс указывают на упаковке товара, что не запрещается законодательством.

В продаже можно встретить карты флеш-памяти без маркировки, но с длинным номером, который мелким шрифтом набит на корпусе устройства. Таким образом, производитель указывает партийный номер, по которому покупатель может найти устройство в сети интернет и ознакомиться с его техническими характеристиками.

Скорость пропорциональна цене, но не эффективности

Чем выше класс флеш-памяти, тем выше его скорость записи, и тем больше цена. А стоит ли покупать самую быструю память?

1. Нулевой класс. Скорость записи не менее 0,6 Мб в секунду. В магазинах можно купить, не увидев отсутствие маркировки. Подойдет для хранения документации.
2. Классы 2 и 4, со скоростями записи 2 и 4 Мб в секунду соответственно, тоже относятся в раздел офисных и предназначены для хранения и переноса документации.
3. Шестой и восьмой классы со скоростью 6 и 8 Мб в секунду будут интересны всем покупателям, работающим с фото, музыкой, видео. Эти типы флеш-памяти раскрывают потенциал в работе с мультимедиа.
4. Десятый класс и выше, включая Ultra, показывают скорости записи свыше 10 Мб в секунду. Применяются в работе с мультимедиа, в качестве дополнительных накопителей для рабочих станций, использовании в качестве оперативной памяти. Там, где критична скорость чтения и записи на носитель информации.

Серьезные бренды, такие как Pretec и Corsair, делают высокоскоростные устройства с возможностью записи порядка 25 Мб в секунду, маркируя их восьмым или десятым классом. Цена на модули очень высокая, но в мире ИТ такие бренды очень уважаются пользователями.

Каковы разные объемы флеш-памяти

Ещё один критерий, от которого зависит цена на накопитель, - объем флэш-памяти. Пусть, технологии не стоят на месте, но всё-таки существуют некоторые пределы. Когда для увеличения объема памяти необходимо изменить техпроцесс, возникает дилемма - сохранив низкую цену, остановиться на достигнутом результате или развиваться дальше, ища богатых покупателей. В мире наступило некоторое затишье - покупателям предлагают купить карты памяти с максимальным объемом в 64 гигабайта, при большом желании, под заказ можно стать владельцем 128 Гб и 256 Гб, но для этого придется сильно раскошелиться. Неизвестно, сколько времени потребуется на переход к новым технологиям и доступность на рынке карт большого объема, но известно одно - 64 Гб вполне достаточно, чтобы удовлетворить любую задачу рядового пользователя.

Чудо-зверь, имеющий большое будущее

Есть ещё одно интересное устройство, использующее в своей работе флеш-память, - накопитель SSD. Наряду с объемом и скоростью записи, критичным для устройства является авторитет производителя, который обеспечивает продукт контроллером управления и специализированной прошивкой, которая управляет всем устройством. Одна ошибка производителя - и устройство может попасть в мусорное ведро. Всё сложно, дорого и очень серьезно, но за SSD-накопителем будущее. Прямой конкурент жестким дискам компьютера, которые работают с помощью магнетизма. Устойчив к тряскам, температуре и работает бесшумно. Не за горами тот день, когда магнитные жесткие диски разделят место в шкафу с шариковыми мышками, уступив место технологиям 21-го века.

Как сэкономить на усовершенствовании компьютера

Владельцам старых компьютеров и ноутбуков не раз приходилось слышать от специалистов по обслуживанию о причинах низкой скорости работы устройства. Недостаточно оперативной памяти, которая уже давно снята с производства. Специалист, глядя в глаза владельцу компьютера, убеждает, что единственным выходом из положения будет покупка современного компьютера. Спустя 5 лет этот же специалист придет и будет в очередной раз доказывать, что нет никаких решений, кроме покупки нового компьютера. Так построен мир. Мир для людей, которым не интересны знания в ИТ-технологиях.

Оперативная флеш-память решит проблему раз и навсегда с минимальными для пользователя затратами. Достаточно скачать из сети Интернет программу под названием Ready Boost и изучить системные требования к накопителю. А уже затем приобретать в магазине необходимое устройство флеш-памяти. Подключить к компьютеру или ноутбуку накопитель, запустить программу и радоваться жизни. Ведь так приятно без капитальных вложений самостоятельно увеличить производительность компьютера.

Какому бренду отдать предпочтение

Из-за большого количества производителей очень тяжело определиться, кому отдать предпочтение. Специалисты рекомендуют составить список требований к накопителю, а потом выбирать бренд.

1. Цель использования позволяет выявить необходимый класс устройства.
2. Удобство и внешний вид подскажут, как флешка должна выглядеть. Например, для магнитолы в машину стоит обратить внимание на накопитель маленького размера, чтобы случайно не сломать в процессе использования.

Найдя несколько требуемых вариантов, поинтересоваться у продавца, как решаются вопросы при поломке устройства, существует ли гарантийная замена. Флеш-память относится к расходным материалам и не подлежит ремонту - об этом нужно знать до покупки. Положительные отзывы заслуживают производители Corsair, Kingston, OCZ, Pretec, Silicon Power, Transcend и IBM.

Как обезопасить себя от потери информации с флеш-носителя

Как любой носитель информации, карта памяти подвержена воздействиям внешних факторов, о которых необходимо знать всем пользователям флеш-устройств и побеспокоиться о сохранности своей информации.

1. Физическая поломка модулей. Пластиковые флеш-карты сломать очень легко, а восстановить невозможно, поэтому при покупке нужно обратить внимание на металлические флешки либо пользоваться очень аккуратно.
2. Влага способна уничтожить накопитель. Стоит обратить внимание на влагозащищенные носители, если существует вероятность попадания воды на память.
3. Заражение флеш-памяти вирусами. Порой восстановить информацию оказывается достаточно сложно, поэтому стоит обратить внимание на устройства, имеющие физическую защиту от записи в виде переключателя - это гарантированно не даст вирусам ни единого шанса.

Выяснив принцип действия, виды, характеристики, цены и устройство флэш-памяти, необходимо доверить свой выбор профессионалам.

1. Специалисты рекомендуют отдавать предпочтение проверенным брендам. Для этого достаточно обратиться к популярным источникам информации и почитать отзывы о продукте. Любой уважающий себя производитель в сети Интернет имеет собственный сайт. Вот его-то и стоит посетить, чтобы получить представление о компании.
2. Не стоит доверять свой выбор китайским подделкам, которые предлагаются на рынке по очень низкой цене. Если нет других вариантов, обязательно перед покупкой нужно попросить продавца продемонстрировать работу носителя. Обычное форматирование устройства в среде Windows позволяет определить исправность флеш-памяти.
3. Предпочтение стоит отдавать быстрым устройствам, которые имеют десятый класс. Так как часто случаются ситуации, когда время находится в приоритете. Тогда и флеш-память станет для пользователя универсальной под любое устройство.
4. Покупая карты памяти для цифровой техники, стоит побеспокоиться о возможностях считывания данных на компьютере. Для этого существуют всевозможные переходники, которые часто предлагаются к покупке вместе с флеш-памятью.

Современные технологии развиваются достаточно быстро, и то, что ещё вчера казалось верхом совершенства, сегодня нас совсем не устраивает. Это особенно относится к современным видам компьютерной памяти. Памяти постоянно не хватает или скорость носителя очень низкая, по современным меркам.

Флеш-память появилась относительно недавно, но имея много преимуществ достаточно серьёзно теснит другие виды памяти.

Флеш- память - это вид твёрдотельной энергонезависимой, перезаписываемой памяти. В отличии от жёсткого диска флешка имеет большую скорость чтения, которая может доходить до 100 Мб/с, очень маленький размер. Её можно легко транспортировать, так как она подключается через USB- порт.

Ею можно пользоваться как ОЗУ, но в отличии от ОЗУ, флеш-память хранит данные при отключенном питании, автономно.

Сегодня на рынке представлены флеш- носители объёмом от 256 мегабайт до 16 гигабайт. Но имеются носители и с большим объёмом.

К дополнительным функциям флеш- памяти можно отнести защиту от копирования, сканер отпечатков пальцев, модуль шифрования и многое другое. Так же если материнская плата поддерживает загрузку через USB- порт, то её можно использовать как загрузочное устройство.

К новым флеш- технологиям можно отнести UЗ. Этот носитель распознаётся компьютером как два диска, где на одном хранятся данные, а со второго происходит загрузка компьютера. Преимущества этой технологии очевидны, вы можете работать на любом компьютере.

Достаточно маленький размер, позволяет использовать этот вид памяти очень широко. Это и мобильные телефоны, фотоаппараты, видеокамеры, диктофоны и другое оборудование.

В описании технических характеристик любого мобильного устройства указывается тип флеш-памяти и не случайно, так как не все типы совместимы. Исходя их этого, надо выбирать достаточно распространенные на рынке флешки, чтобы не иметь проблем с каким-нибудь устройством.
Для некоторых типов флеш-карт существуют адаптеры, которые расширяют её возможности.

Существующие типы флеш-памяти

Современные флеш-карты можно разделить на шесть основных типов.

Первый и самый распространенный тип - это CompactFlash (CF) , имеется двух видов CF type I и CF type II. Имеет хорошую скорость, ёмкость и цену.
К недостаткам относят размер 42*36*4 мм. Является достаточно универсальным и используется во многих устройствах.

IBM Microdrive -дешёвая, но менее надёжная и потребляет больше обычного энергии, что и является причиной её ограниченности.

SmartMedia - тонкая и дешёвая, но не высокая защита от стирания.

Multimedia Card (MMC) - маленький размер (24x32x1,4мм), низкое энергопотребление, используется в миниатюрных устройствах. Недостаток - низкая скорость.

SecureDigital (SD) при сопастовимых размерах с Multimedia Card, имеет больший объём и скорость. Но дороже.

MemoryStick - имеет хорошую защиту информации, скорость, но не очень большую ёмкость.

Сегодня самыми распространёнными считаются CompactFlash и SD/MMC, но
кроме перечисленных карт, существуют и другие виды флеш-карт

Выбирать флеш-карту стоит исходя из своих потребностей, учитывая, что чем больше объём и скорость, тем дороже флеш- карта.